Предыдущая страница
Первая страница
Начало
Следующая страница

Справочник по стандартным цифровым ТТЛ микросхемам
ВЖ1 = (630) - 16-разрядныя схема обнаружения и исправления ошибок

D0-D15 - входы/выходы данных;
CB0-CB5 - входы/выходы синдрома;
S0,S1 - входы управления;
SEF - флаг ошибки;
DEF - флаг некорректируемой ошибки.
Все выходы с тремя состояниями.

Схема использует модифицированный код Хэмминга, чтобы генерировать 6-битовый синдром для 16-разрядного слова. Одиночные ошибки схемой исправляются; двойные ошибки только обнаруживаются, ошибки типа всех нулей или всех единиц тоже обнаруживаются, тройные и большие ошибки могут быть не обнаружены. В случае двойной ошибки, оба бита могут быть в слове памяти, обе в слове синдрома, или по одному биту в слове памяти и слове синдрома. В течении цикла записи, схема формирует 6-разрядное проверочное слово из 16-разрядного слова данных. Коррекция ошибки выполняется идентификацией неправильного бита и инверсией его. Когда исправленное слово выдается из порта данных, из порта CBi выдается синдром, указывающий на неправильный бит.

Функции схемы исправления ошибок

Цикл
памяти
Управление
S1 S0
Функция БИС Шина данных Шина синдрома Флаги
SEF DEF
ЗАПИСЬ L L Генерировать контрольное слово Входные данные  Выходное контрольное слово L L
ЧТЕНИЕ L H Читать данные и контрольное слово Входные данные Входное контрольное слово L L
ЧТЕНИЕ H H Защелкнуть и разрешить флаги Защелкнутые данные Защелкнутое контрольное слово Разрешено
ЧТЕНИЕ H L Корректировать данные и генерировать синдром Выходные корректированные данные Выходной синдром Разрешено

 
Полное число ошибок
Флаги ошибок
Исправление данных
16-битовые данные 
6-битовое контрольное слово
SEF
DEF
 
0
0
L
L
Не применимо
1
0
H
L
Коррекция
0
1
H
L
Коррекция
1
1
H
H
Прерывание
2
0
H
H
Прерывание
0
2
H
H
Прерывание

Таблица синдромов ошибки

Ячейка ошибки
Код синдрома ошибки
 
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
D0
L
L
H
L
H
H
D1
L
H
L
L
H
H
D2
H
L
L
L
H
H
D3
L
L
H
H
L
H
D4
L
H
L
H
L
H
D5
H
L
L
H
L
H
D6
H
L
H
L
L
H
D7
H
H
L
L
L
H
D8
L
L
H
H
H
L
D9
L
H
L
H
H
L
D10
L
H
H
L
H
L
D11
H
L
H
L
H
L
D12
H
H
L
L
H
L
D13
L
H
H
H
L
L
D14
H
L
H
H
L
L
D15
H
H
L
H
L
L
CB0
L
H
H
H
H
H
CB1
H
L
H
H
H
H
CB2
H
H
L
H
H
H
CB3
H
H
H
L
H
H
CB4
H
H
H
H
L
H
CB5
H
H
H
H
H
L
Нет ошибки
H
H
H
H
H
H

 
Контрольное
16-разрядное слово данных
слово  0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15
 CB0  *  *    *  *        *  *  *      *    
 CB1  *    *  *    *  *    *      *      *  
 CB2    *  *    *  *    *    *      *      *
 CB3  *  *  *        *  *      *  *  *      
 CB4        *  *  *  *  *            *  *  *
 CB5                  *  *  *  *  *  *  *  *

 
    Параметры   54LS/74LS
  (533,555)
 54F/74F
  (1531)
Выходной ток лог.1 для DEF, SEF, мА       0.4     3
Выходной ток лог.0 для CB, DB,   мА     12/24    20
Выходной ток лог.0 для DEF, SEF, мА       4/8    20
Входной ток лог.0 мкА       200    20
Ток потребления, мА  -113-180  
Задержки распространения (нс)    
От DB до CB       = L-->H    -31-65   -22
От DB до CB       = H-->L    -45-65   -20
От S1 _/~ до DEF  = L-->H    -27-40   -13
От S1 _/~ до SEF  = L-->H    -20-30   -13
От S0 ~\_ до CB,DB= Z-->H    -24-40   -12
От S0 ~\_ до CB,DB= Z-->L    -30-45   -12
От S0 _/~ до CB,DB= H-->Z    -43-65   -15
От S0 _/~ до CB,DB= L-->Z    -31-65   -15

 Предыдущая страница
Первая страница
Начало
Следующая страница
Козак Виктор Романович, Новосибирск,  22-янв-2001г.
e-mail kozak@inp.nsk.su